之所以孙祖杰这么牛逼轰轰。敢做这样的赌博。就是因为孙祖杰在八十年代投资启动研究的几款激光器。尤其是ArF 193nm激光器终于在1997年开发成功。这是一个具有战略意义的重大突破。
而最先进的极紫外光EUV技术。华国经过长期不懈的攻关。目前也已经取得了不少的成果。
之所以在光源上取得突破。原因就是华国的激光技术一直处于世界一流水准。有了不少投资。又有了明确的方向。取得发展是必然的。
华吉光电所搞出的激光器虽然功率低了一些。但是勉强可以使用。这也迫使倭美两国不得不陆续放弃了对华国在这一领域的技术封锁。
孙祖杰对他们取得的成功非常高兴。华投紧接着又拨给他们一千万华元资金。要求ArF 193nm激光器必须达到西方同等水平。
但是光源只是光刻机一小部分。作为最尖端的机电一体化产品。华国自产的光刻机最大的问题就是套刻精度不够和生产效率不行。
套刻精度与光刻分辨力密切相关。如果要达到0.10μm的光刻分辨力。根据33%法则要求套刻精度不低于0.03μm。
套刻精度主要与工件台和掩模台定位精度、光学对准精度、同步扫描精度等因素有关。定位精度、对准精度和同步扫描精度分别约为套刻精度的1/5～1/3。即0.006～0.01μm。
而提高生产效率是光刻机实现产业化的必要条件。为了提高生产效率。必须优化设计激光器输出功率、重复频率、曝光能量控制、同步扫描等各个技术环节。并采用先进技术尽量减少换片、步进和光学对准等环节所需时间。
要想能够完善所有环节。必须用漫长的时间去摸索。调试。这就需要大量的投资。虽然欧派微芯出钱。各大学和几大光学所出技术。花了无数的钱。但是因为华国整体工业实力的不足。华国国产光刻机为了提高套刻精度。还是不得不降低生产效率。
华国九十年代研发的1微米前道光刻机相比于进口产品。效率一直差得比较多。就是这个原因。所以为了提高生产效率。孙祖杰很早就想到了阿斯麦的双工作台。
双工作台系统。使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片。同时在另外一个工作台进行预对准工作。并在第一时间得到结果反馈。这样生产效率可以提高大约 35%。精度提高 10%以上。
但是双工件台系统虽然仅是加一个工作台。但技术难度却不容小觑。对工作台转移速度和精度有非常高的要求。
华国工程师从磁悬浮技术得到启示。利用华国在永磁体领域的领先。正在全力开发磁悬浮工作台。目前实验研究已经有了不小的突破。实验发现精度确实有了不小的提高。
现在有了193nmArF光源。有了浸没式光学镜头。又有了双工作台的突破。专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋。欧派微芯完全可以直接攻关0.1微米左右线程的浸没式光刻机。
因为使用 193nmArF光源的浸没式光刻机。波长直接缩短为134nm。这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步。再通过光学邻近效应矫正等技术后。其极限光刻工艺节点甚至可达 28nm。
要知道在1997年。此时主流的光刻机线程也不过0.25微米。采用的还是KrF248 nm光源。而倭国正在研发的193nm干式光刻机线程也仅仅是0.18微米。下一步才是0.13微米。90nm。
也就是说采用另外一条技术路线的华国人有3到5年的宝贵追赶时间。有这个时间应该有机会取得突破。
只要这款光刻机被攻克。华国就很可能实现弯道超车。为此赌一把绝对是值得的。毕竟华投有了相应的技术积累。
除此之外。还有一个好处。那就是193nm干式光刻机到了65nm左右时。差不多快到极限了。而采用华国路线。线程可以直接到达30nm左右。都问题不大。
所以到达这段线程区间时。欧美要么更换光源全部推倒重来。要么与华国交换技术。前者需要大量投资。而后者有现成的技术。到时候除非资本家脑子短路了。否则他们一定会与华国交换专利。因此华国的技术路线。明显才是未来。那么现在投入再多。也是值得的。
就在1998年初。更换了身份之后的孙祖杰。以华投决策小组组长的身份。出席了新型光刻机的研发动员大会。林先生也参加了这次动员大会。
这几年林先生的研究团队精力都放在天翼那条0.5微米芯片生产线的调试和改进上。并没有权限知道华投在光刻机领域的那些秘密。
经过几年的合作之后。林先生的研究团队已经被认可。所以今天他才有资格出席今天的动员大会。参与到这款代表未来的光刻机研究。
林先生听着长吉光电所的同志公开新型光刻机的技术方案。简直不敢相信自己的耳朵。
什么时候内地已经攻克了浸没式光刻机。而且有了不止一代产品。那就说明他们很早就有这个思路。并已经实现。可是他们为什么又一直保